去年底69届IEEE国际电子元件年会上，长鑫发布了一篇概述环绕式闸极结构GAA（三星3nm节点导入的架构）技术的论文，被解读为突破3nm工艺。客观地说，论文本质上只是一种技术展示，与技术突破不能画等号，且长鑫也发表声明，称论文描述了与DRAM结构和4F²存储单元结构设计可行性相关的基础研究（相比当前6F ...展开
