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欧阳秋叶
华为公开四重曝光工艺专利国家知识产权局公布了华为技术有限公司的多项新专利，其中一项专利号CN117751427A的涉及到“自对准四重图案化(SAQP)半导体装置的制作方法以及半导体装置”，是传闻已久的多重曝光芯片制造工艺。专利显示，其自对准四重图案化工艺可以分为七个步骤：1、在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层；2、对第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层；3、基于第二图案化硬掩膜层为掩膜对第二抗反射层和第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层；4、去除第二图案化硬掩膜层和第二抗反射层，并基于第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层；5、对第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层；6、基于第四图案化硬掩膜层对第一抗反射层和待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层。7、去除第四图案化硬掩膜层和第一抗反射层。华为在专利中表示：“实施本申请实施例，可以提高电路图案设计的自由度。”收起 展开全文原微博