2013年8月，三星电子宣布批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。今天，三星又公布了第二代，堆叠的闪存竟然达到了32层，比第一代的24层又增加了三分之一。与此同时， ...(发自@微博桌面 http://t.cn/zjj9IWH）
