#富士通半导体视频#FRAM利用铁电晶体的偏振极化特性实现数据存储,其特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,而且不存在如E2PROM的最大写入次数的问题,目前富士通半导体的FRAM的读写次数可达1万亿次(接近无限次)。🔗 网页链接