【富士通推出耐压150V的GaN功率器件产品，品质因数降半】http://t.cn/zQVldqU富士通半导体日前宣布，推出可耐压150 V的基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。
