#翼分享#【量产3D垂直闪存V-NAND】8月6日消息，三星宣布，已批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存V-NAND。三星V-NAND单颗芯片容量128Gb(16GB)，内部采用三星独有垂直单元结构，通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。新闪存拓展能力是普通2xnm平面型闪存两倍以上。
